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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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100kgクリアサファイアインゴット

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Overview

TLのアクティブトラップ、発光中心、およびディープトラップを含むトラップの対話型システムのゾーンスキームが結晶で提案されています。線量特性の線形性の原因となるメカニズムの1つは、線量トラップと深いトラップの相互作用的な結合です。線量計の効率を高めるための実用的な推奨事項が提案されています。

それらは、TL線量依存性の形成に対するトラップ相互作用の寄与の減少に基づいています。このような減少は、高線量測定の過程で深いトラップが最大限に満たされるか、完全に空になった場合に実現できます。ディープトラップの予備充填は、線量測定ピークの温度範囲よりも高い温度での照射により行われます。ディープトラップは、高線量照射の各イベント後に1,000 Kでアニールするプロセス中に空になります。


中州は、高品質で大型のサファイア結晶を成長させるのが難しいカイロポロス法による伝統的な結晶成長の限界を突破しました。現在120kgの高品質のサファイア結晶が安定して生産されており、生産能力は信頼できる供給の要件を満たすことができます。お客様が対応するリクエストがある場合は、はるかに大きなクリスタルを生産することができます。基板またはコンポーネントの最大直径は、最大12インチに達する可能性があります。

Clear sapphire ingot


製品グループ : サファイアインゴット > 100kgサファイアインゴット

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