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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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100kg高純度サファイアインゴット

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近年、結晶形成メカニズム、結晶化フロントの形態安定性、不純物の役割、メルト内の熱および濃度フロー、および構造欠陥の形成に影響する他の要因の理解において、特定の成功が達成されました。

しかし、実際の結晶製品のパラメータとその達成条件の間の関係の確立は、所定の特性を有する結晶を得る上で最も重要な課題であり続けます。

このタスクでは、原料、結晶成長媒体、液固界面およびこれらの相の大部分の両方での熱および物質移動の詳細な分析、ならびに結晶の冷却プロセスとその後の熱的および機械的プロセスが必要です。処理。


中州は、高品質で大型のサファイア結晶を成長させるのが難しい、カイロポロス法による伝統的な結晶成長の限界を突破しました。現在120kgの高品質のサファイア結晶が安定して生産されており、生産能力は信頼できる供給の要件を満たすことができます。お客様が対応するリクエストがある場合は、はるかに大きなクリスタルを生産することができます。基板またはコンポーネントの最大直径は、最大12インチに達する可能性があります。

High purity sapphire ingot



製品グループ : サファイアインゴット > 100kgサファイアインゴット

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