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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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120kgのバブルプロセスサファイアインゴット

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Overview

結晶寸法の上限は、受光器が入射放射に垂直な結晶面に接続されている場合に対応します。最も遠い地点からの光が識別しきい値(10 keV)を超える場合の条件に対して計算されます。吸収係数 Kの 異なる値の上限 は、細い線で示されています。太線は下限を示します。



中州は、高品質で大型のサファイア結晶を成長させるのが難しい、カイロポロス法による伝統的な結晶成長の限界を突破しました。現在120kgの高品質のサファイア結晶が安定して生産されており、生産能力は信頼できる供給の要件を満たすことができます。お客様が対応するリクエストがある場合は、はるかに大きなクリスタルを生産することができます。基板またはコンポーネントの最大直径は、最大12インチに達する可能性があります。

high density sapphire ingot



製品グループ : サファイアインゴット > 120kgサファイアインゴット

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