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サファイア基板 は、この材料の構造的用途の最も重要な側面の1つに属します。これらは、Si、GaN、AlGaNなどの半導体膜のエピタキシー、および集積回路の製造に使用されます。
サファイア基板は不活性で、高温および機械的負荷で機能し、大きなサイズで入手できます。したがって、格子定数がヘテロエピタキシャル構造のパラメータと完全に一致しない場合でも使用されます。
サファイア基板に取って代わる潜在的な材料とみなされる基板がたくさんありますが、そのリーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板(GaN LED成長用)市場では依然として支配的です。
Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
製品グループ : サファイア基板 > 6インチサファイア基板
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