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ランプ、吸収セル、および原子(ルビジウム)周波数標準のフィルター用のサファイアシェルは、デバイスの特性を高めます。作業時間と大気圧力に対応する相対的な周波数変化を減らし、電力消費を減らし、増加させます。デバイスの平均故障間隔。
サファイアシェルは熱伝導率が高いため、熱伝導率の低い材料でできたレーザー素子から熱を奪うことができます。透明なサファイアシェルは、Moヒーターを酸化または攻撃的な媒体から保護することができます。
サファイア基板に取って代わる潜在的な材料とみなされる基板がたくさんありますが、そのリーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板(GaN LED成長用)市場では依然として支配的です。
Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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