場合によっては、従来の熱電対を使用して温度測定を行う方が簡単ですが、攻撃的な媒体ではこれらはすぐに壊れます。
底が密閉されたチューブの形をしたサファイア製の 熱電対ケーシング は、腐食性の媒体から金属熱電対を確実に保護します。
サファイア基板を置き換える可能性のある材料とみなされる基板はたくさんありますが、リーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板（GaN LED成長用）市場では依然として支配的です。 Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
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2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
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Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
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Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
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Material |
High purity single crystal sapphire |
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Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
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Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
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Broken edge length |
≤3mm |
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Crack |
0 |
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Defect |
No inclusion，twin，or boundary |
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Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
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EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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