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長方形のサファイアキュベットには、高温のフッ化物溶融物の分光法に代わるものはありません。多くの化学プロセスにおいて、サファイアの記事はプラチナの記事をうまく代用しています。
サファイア基板に取って代わる潜在的な材料とみなされる基板がたくさんありますが、そのリーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板(GaN LED成長用)市場では依然として支配的です。 Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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