双結晶基板は、高温超伝導体膜上でのジョセフソン遷移の生成に使用されます。双結晶のテープは、双結晶の種の上に成長します。広い面の向きは、成長方向です。双結晶の角度は2×14°です。レーザーダイオードと高輝度の青色および緑色発光ダイオード（LED）の生産は急速に発展しています。
信号灯からアルツハイマー病患者の治療まで、同様の急速な成長が観察されています（青色LEDを組み込んだパイロットユニットによる30 lxの光強度の照射は、睡眠障害の程度を軽減し、明らかに、患者の体温の低下による覚醒期間）。青色LEDの場合
ヘテロ構造GaN /サファイアが使用されます（格子不整合が約13％実行されるという事実にもかかわらず）およびAlGaN / InGaN / GaN /（0001）
サファイア基板に取って代わる潜在的な材料とみなされる基板がたくさんありますが、そのリーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板（GaN LED成長用）市場では依然として支配的です。 Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
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2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
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Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
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Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
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Material |
High purity single crystal sapphire |
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Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
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Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
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Broken edge length |
≤3mm |
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Crack |
0 |
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Defect |
No inclusion，twin，or boundary |
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Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
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EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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