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サファイアは、広い吸収帯と広い発光領域をもつ元素をドープすると、波長可変レーザーの有望な材料になります。そのような元素の中で最も興味深いのは、Ti 3+、Cu 2+、V 3+、Ni 2+、Co 2+、Co 3+、およびMn 2+です。に関して
三次元要素、最も広い発光スペクトルはチタンの特徴です。
チタンをドープしたサファイア (Ti:sapphire、ticor、Ti:S)は、波長可変レーザーの主要なアクティブメディアの1つです。この結晶の生成が初めて報告された1982年から使用されています。
サファイア基板に取って代わる潜在的な材料とみなされる基板がたくさんありますが、そのリーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板(GaN LED成長用)市場では依然として支配的です。 Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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