研究対象の材料と薄いルビー板がサファイア板の間に固定されています。調査対象のプレートに対する電流またはレーザー加熱の影響下で、1〜2 msの間に〜100 kbarの圧力が発生します。
圧力は、ルビーの発光ピーク値のシフトから測定されます。 l = 532 nmの パルスが 、ライトガイドとサファイアプレートを介してルビープレートに適用されます。
発光信号は 、同じライトガイドを使用 して l = 700 nm で通過し ます。 0.5 nmに等しいこの信号での発光ピークのシフトは、圧力が20 kbar増加したことに対応します。
消耗トランスデューサとして、クロム含有量が0.5〜0.7％の高品質ルビーが使用されます。
ルビーベースの圧力トランスデューサ は、60 kbar程度の静水圧に使用されます。このようなセンサーは、直径0.6 mm、厚さ0.1 mmの円盤状で、4・10 14個のスピンを含んでいます。
サファイア基板に取って代わる潜在的な材料とみなされる基板がたくさんありますが、そのリーズナブルな価格と比較的低いミスマッチのため、基板（GaN LED成長用）市場では依然として支配的です。 Zhongjuは、顧客のニーズに応じて基板を処理できます。現在、当社のサファイア基板の生産範囲は2〜12インチで、高品質で正確な向きになっています。
表1基材のサイズ
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2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
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Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
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Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
表2基材の仕様
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Material |
High purity single crystal sapphire |
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Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
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Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
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Broken edge length |
≤3mm |
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Crack |
0 |
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Defect |
No inclusion，twin，or boundary |
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Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
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EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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